Impact of SiC Switch–MOS for Thermal Impedance Evaluation of Power Module

In this paper, thermal impedances of Silicon carbide (SiC) power module assembled with a Schottky Barrier Diode (SBD)–wall–integrated trench MOSFET (SWITCH–MOS) and a conventional trench gate MOSFET (UMOS) are measured. Then they are compared to show the advantage of SWITCH–MOS for thermal impedance...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Meeting abstracts (Electrochemical Society) 2020-11, Vol.MA2020-02 (26), p.1840-1840
Hauptverfasser:	Kato, Fumiki, Yao, Atsushi, Sato, Shinji, Hozoji, Hiroshi, Harada, Shinsuke, Sakai, Aki, Watanabe, Kinuyo, Yamaguchi, Hiroshi, Sato, Hiroshi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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