Extraction and Analysis of Gamma Irradiated Si BJT SPICE Model

The Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis (SPICE) model parameters of pre and post-irradiated silicon bipolar junction transistor (Si BJT) were extracted with the use of Altium Designer (AD)/SPICE model wizard. The percentage changes (Δ%) between forward and reverse-bias parameters of...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:ECS journal of solid state science and technology 2019-01, Vol.8 (1), p.P51-P56
Hauptverfasser: Lawal, Olarewaju Mubashiru, Liu, Shuhuan, Huang, Taiyi
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!