Highly-Conformal TiN Thin Films Grown by Thermal and Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition

Atomic layer deposition (ALD) was used to synthesize highly-conformal titanium nitride thin films using both thermal activation at 250°C and plasma activation at 200°C. Tetrakisdimethylaminotitanium (TDMAT) and ammonia have been utilized as precursors. The evolutions of the thickness and the roughne...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ECS journal of solid state science and technology 2014-01, Vol.3 (7), p.P253-P258
Hauptverfasser:	Assaud, Loïc, Pitzschel, Kristina, Hanbücken, Margrit, Santinacci, Lionel
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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