Trapping Phenomena in InAlN/GaN High Electron Mobility Transistors

Electron trapping-detrapping phenomena were studied for InAlN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) by drain current-drain voltage static and pulsed current voltage (I-V) characteristics, gate current I-Vs, transfer characteristic measurements, current deep level transient spectroscopy (CDL...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ECS journal of solid state science and technology 2018-01, Vol.7 (2), p.Q1-Q7
Hauptverfasser:	Polyakov, A. Y., Smirnov, N. B., Shchemerov, I. V., Yang, Jiancheng, Ren, Fan, Lo, Chien-Fong, Laboutin, Oleg, Johnson, J. W., Pearton, S. J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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