Chemical Solution Deposition of Ferroelectric Hafnium Oxide for Future Lead Free Ferroelectric Devices

The phase formation and the influence of the type of dopant of an improved routine for chemical solution deposition (CSD) of ferroelectric hafnium oxide films are investigated. Ferroelectric properties for yttrium doping and doping with different elements from the lanthanide group are shown. The sam...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ECS journal of solid state science and technology 2015-01, Vol.4 (12), p.P419-P423
Hauptverfasser:	Starschich, Sergej, Griesche, David, Schneller, Theodor, Böttger, Ulrich
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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