Behavior of Transition Metals Penetrating Silicon Substrate through SiO 2 and Si 3 N 4 Films by Arsenic Ion Implantation and Annealing

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ECS journal of solid state science and technology 2015, Vol.4 (5), p.P131-P136
Hauptverfasser:	Saga, Koichiro, Ohno, Rikiichi, Shibata, Daiki, Kobayashi, Shunsuke, Sueoka, Koji
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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