Modeling of Copper Diffusion in Amorphous Aluminum Oxide in CBRAM Memory Stack

First-principles modeling techniques are used to study the diffusion of copper in amorphous alumina (a-Al2O3) for Conductive Bridging Random Access Memories (CBRAM) Pt/CuxTe(1-x)/Al2O3/Si stacks. The enthalpy of injection (Ei) of Cu(+1/+2) and Te(-2/+2) ions into a-Al2O3 have been quantified. We fou...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ECS transactions 2012-04, Vol.45 (3), p.317-330
Hauptverfasser:	Sankaran, Kiroubanand, Goux, Ludovic, Clima, Sergiu, Mees, Maarten, Kittl, Jorge A., Jurczak, Malgorzata, Altimime, Laith, Rignanese, Gian-Marco, Pourtois, Geoffrey
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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