Atomic Layer Deposition of Antimony Telluride Thin Films Using (Me 3 Si) 2 Te with SbCl 3 as Precursors

Atomic Layer Deposition (ALD) growth of antimony telluride (Sb2Te3) thin films has been investigated. We fabricated antimony telluride layers as a function of ALD deposition temperature in order to establish the ALD process window using (Me3Si)2Te with SbCl3 as chemical precursors. The initial ALD n...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ECS transactions 2011-10, Vol.41 (2), p.255-261
Hauptverfasser:	Gu, Diefeng, Nminibapiel, David, Baumgart, Helmut, Robinson, Hans, Kochergin, Vladimir
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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