Mechanisms of Schottky Barrier Control on n-Type Germanium Using Ge3N4 Interlayers

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2011, Vol.158 (4), p.H358
Hauptverfasser:	Lieten, R. R., Afanas’ev, V. V., Thoan, N. H., Degroote, S., Walukiewicz, W., Borghs, G.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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