PEALD ZrO 2 Films Deposition on TiN and Si Substrates

The substrate influence on the structure of 60nm-thick ZrO2 films deposited by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) is reported. Films were grown either on TiN/Si(100) or on Si(100) substrates. TiN layers (45nm thick) were PVD-deposited. High Resolution Transmission Electron Microscopy (H...

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Veröffentlicht in:ECS transactions 2009-09, Vol.25 (8), p.235-241
Hauptverfasser: Monnier, Denis, Gros-Jean, Mickael, Deloffre, Emilie, Doisneau, Béatrice, Coindeau, Stéphane, Crisci, Alexandre, Roy, Jérôme, Mi, Yanyu, Detlefs, Blanka, Zegenhagen, Jorg, Wyon, Christophe, Martinet, Christine, Volpi, Fabien, Blanquet, Elisabeth
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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