PEALD ZrO 2 Films Deposition on TiN and Si Substrates
The substrate influence on the structure of 60nm-thick ZrO2 films deposited by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) is reported. Films were grown either on TiN/Si(100) or on Si(100) substrates. TiN layers (45nm thick) were PVD-deposited. High Resolution Transmission Electron Microscopy (H...
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Veröffentlicht in: | ECS transactions 2009-09, Vol.25 (8), p.235-241 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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