Pt/Ge Schottky-Barrier Reduction by Rapid Thermal Diffusion of P Dopants

Low platinum-germanide-Schottky barrier diodes are fabricated via the incorporation of dopants by diffusion. A phosphorous spin-on-dopant resist is used for the formation of a highly doped surface layer in a rapid thermal annealing process, prior to the formation of platinum-germanide Schottky barri...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Henkel, Christoph, Abermann, Stephan, Bethge, Ole, Bertagnolli, Emmerich
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!