Characteristics of Thin Hf-Silicate Gate Dielectrics after Remote N[sub 2] and N[sub 2]O Plasma Post-Treatments

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2008, Vol.155 (12), p.G299
Hauptverfasser:	Kim, Hyungchul, Kim, Seokhoon, Woo, Sanghyun, Chung, Hye Yeong, Kim, Honggyu, Park, Jongsan, Jeon, Hyeongtag
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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