Enhanced Carrier Transportation on Passivated Gallium Nitride Single Nanowire Field-Effect Transistor

We reported on the enhanced carrier transportation in gallium nitride (GaN) single nanowire field-effect transistor (FET) with top gate structure. The GaN nanowires were synthesized by a selective-site growth mechanism using vapor-liquid-solid (VLS) method on a silicon-dioxide (SiO2) capped p-type s...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Yu, Jeng Wei, Wu, Han Min, Peng, Lung Han
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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