Interpretation of ellipsometry measurements taken from annealed heavily arsenic-implanted silicon

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1993-09, Vol.140 (9), p.2710-2714
Hauptverfasser:	AJURIA, S. A, TOMPKINS, H. G, GROVE, C. L, CARREJO, J. P
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Defects and impurities in crystals microstructure Doping and impurity implantation in germanium and silicon Exact sciences and technology Instruments, apparatus, components and techniques common to several branches of physics and astronomy Optical instruments, equipment and techniques Physics Polarimeters and ellipsometers Structure of solids and liquids crystallography
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