Oxygen precipitation in heavily doped silicon

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1990-02, Vol.137 (2), p.647-652
Hauptverfasser:	BAINS, S. K, GRIFFITHS, D. P, WILKES, J. G, SERIES, R. W, BARRACLOUGH, K. G
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Defects and impurities in crystals microstructure Exact sciences and technology Physics Structure of solids and liquids crystallography
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