Growth of facet-free selective silicon epitaxy at low temperature and atmospheric pressure

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1991-10, Vol.138 (10), p.3042-3047
Hauptverfasser:	SEDGWICK, T. O, AGNELLO, P. D, BERKENBLIT, M, KUAN, T. S
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Exact sciences and technology Physics Solid surfaces and solid-solid interfaces Surface and interface dynamics and vibrations Surfaces and interfaces thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties) Thin film structure and morphology
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