Silicon floating zone process : numerical modeling of RF field, heat transfer, thermal stress, and experimental proof for 4 inch crystals

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1995, Vol.142 (3), p.1007-1014
Hauptverfasser:	RIEMANN, H, LÜDGE, A, BÖTTCHER, K, ROST, H.-J, HALLMANN, B, SCHRÖDER, W, HENSEL, W, SCHLEUSENER, B
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Cross-disciplinary physics: materials science rheology Exact sciences and technology Growth from melts zone melting and refining Materials science Methods of crystal growth physics of crystal growth Physics
Online-Zugang:	Volltext
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