A comparative study of n+/p junction formation for deep submicron elevated source/drain metal oxide semiconductor field effect transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1997-10, Vol.144 (10), p.3659-3664
Hauptverfasser:	SUN, J, BARTHOLOMEW, R. F, BELLUR, K, SRIVASTAVA, A, OSBURN, C. M, MASNARI, N. A, WESTHOFF, R
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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