Electrical characterization of GaN metal oxide semiconductor diodes using MgO as the gate oxide

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Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2002-08, Vol.149 (8), p.G482-G484
Hauptverfasser:	KIM, J, GILA, B, REN, F, MEHANDRU, R, JOHNSON, J. W, SHIN, J. H, LEE, K. P, LUO, B, ONSTINE, A, ABERNATHY, C. R, PEARTON, S. J
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Electronic structure and electrical properties of surfaces, interfaces, thin films and low-dimensional structures Electronic transport in interface structures Exact sciences and technology Metal-semiconductor-metal structures Physics
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