Strong Room-Temperature Electroluminescence from Ge-on-Si by Precise in-situ Doping Control

We observe strong room-temperature electroluminescence from Ge-on-Si. Ge p-i-n junction is formed within the epitaxial Ge by the precise in-situ doping method and additionally high density P delta doping is performed in the vicinity of the surface to create a low resistivity Ohmic contact. An EL dev...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ECS transactions 2020-09, Vol.98 (5), p.513-518
Hauptverfasser:	Yamada, Kodai, Hoshi, Yusuke, Sawano, Kentarou
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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