Advanced Wet-Etch-Only Process for Complete Tri-Layer Rework

A tri-layer patterning technique is used for high numerical aperture immersion lithography at 28 nm node. The tri-layer consists of a photoresist (PR) deposited on a silicon-containing anti-reflective coating (SiARC) above an organic planarization layer (OPL). Defective PR processes (e.g. overlay, o...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ECS transactions 2015-09, Vol.69 (8), p.153-158
Hauptverfasser:	Steinke, Philipp, Calvo, Jesús, Uhlig, Benjamin
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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