Low-Temperature, Aqueous-Solution-Processed Zinc Tin Oxide Thin Film Transistor

We fabricate solution-processed zinc tin oxide (ZTO) thin-film transistors (TFTs). The solution used is prepared by precipitating metal hydroxide using NaOH and dissolving it using NH 4 OH. The X-ray diffraction (XRD) data of the spin-coated ZTO film demonstrates an amorphous phase, and the atomic f...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2011-07, Vol.50 (7), p.070201-070201-3
Hauptverfasser:	Park, Jee Ho, Choi, Won Jin, Oh, Jin Young, Chae, Soo Sang, Jang, Woo Soon, Lee, Se Jong, Song, Kie Moon, Baik, Hong Koo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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