Low Threshold Voltage and High Mobility N-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor Using Hf–Si/HfO 2 Gate Stack Fabricated by Gate-Last Process

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2010-01, Vol.49 (1), p.16502
Hauptverfasser:	Ando, Takashi, Hirano, Tomoyuki, Tai, Kaori, Yamaguchi, Shinpei, Yoshida, Shinichi, Iwamoto, Hayato, Kadomura, Shingo, Watanabe, Heiji
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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