Smooth and Vertical Profile Dry Etching of Si Using XeF 2 Plasma

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2009-06, Vol.48 (6S), p.6
Hauptverfasser:	Matsutani, Akihiro, Ohtsuki, Hideo, Koyama, Fumio
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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