Improvement of Dielectric Properties on Deposited SiO 2 Caused by Stress Relaxation with Thermal Annealing

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2009-05, Vol.48 (5S1), p.5
Hauptverfasser:	Sometani, Mitsuru, Hasunuma, Ryu, Ogino, Masaaki, Kuribayashi, Hitoshi, Sugahara, Yoshiyuki, Yamabe, Kikuo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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