Growth of β-Ga 2 O 3 Single Crystals by the Edge-Defined, Film Fed Growth Method

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2008-11, Vol.47 (11R), p.8506
Hauptverfasser: Aida, Hideo, Nishiguchi, Kengo, Takeda, Hidetoshi, Aota, Natsuko, Sunakawa, Kazuhiko, Yaguchi, Yoichi
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.1143/JJAP.47.8506