InAs High Electron Mobility Transistors with Buried Gate for Ultralow-Power-Consumption Low-Noise Amplifier Application
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Veröffentlicht in: | Japanese Journal of Applied Physics 2008-09, Vol.47 (9R), p.7119 |
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Hauptverfasser: | , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 0021-4922 1347-4065 |
DOI: | 10.1143/JJAP.47.7119 |