InAs High Electron Mobility Transistors with Buried Gate for Ultralow-Power-Consumption Low-Noise Amplifier Application

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2008-09, Vol.47 (9R), p.7119
Hauptverfasser: Kuo, Chien-I, Hsu, Heng-Tung, Chang, Edward Yi, Miyamoto, Yasuyuki, Tsern, Wen-Chung
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.1143/JJAP.47.7119