Evaluation of Strain in Si-on-Insulator Substrate Induced by Si 3 N 4 Capping Film

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2008-03, Vol.47 (3R), p.1465
Hauptverfasser:	Ogura, Atsushi, Kosemura, Daisuke, Kakemura, Yasuto, Yoshida, Tetsuya, Uchida, Hidetsugu, Hattori, Nobuyoshi, Yoshimaru, Masaki
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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