Determination of Etch Rate Behavior of 4H–SiC Using Chlorine Trifluoride Gas

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2007-12, Vol.46 (12R), p.7875
Hauptverfasser:	Miura, Yutaka, Habuka, Hitoshi, Katsumi, Yusuke, Oda, Satoko, Fukai, Yasushi, Fukae, Katsuya, Kato, Tomohisa, Okumura, Hajime, Arai, Kazuo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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