Formation of New Beryllium Phosphide in Au(Be)/GaP Thin-Film System
A new beryllium phosphide was discovered in a Au/AuBe/Au/p-GaP(111) thin-film system annealed at 500 °C by rapid thermal annealing (RTA). The beryllium phosphide appeared in the shape of a plate in a gold metallization layer near the GaP substrate after RTA. The crystal structure of the beryllium ph...
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| Veröffentlicht in: | Japanese Journal of Applied Physics 2006-11, Vol.45 (11R), p.8556 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext |
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