Ultra Shallow Junction Formation Using Plasma Doping and Laser Annealing for Sub-65 nm Technology Nodes

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2006-04, Vol.45 (4S), p.2961
Hauptverfasser:	Yon, Guk-Hyon, Buh, Gyoung Ho, Park, Tai-su, Hong, Soo-Jin, Shin, Yu Gyun, Chung, U-In, Moon, Joo-Tae
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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