High-Performance Buried-Gate Surrounding Gate Transistor for Future Three-Dimensional Devices

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2004-10, Vol.43 (10), p.6904-6906
Hauptverfasser:	Iwai, Makoto, Yamamoto, Yasue, Nishi, Ryohsuke, Sakuraba, Hiroshi, Endoh, Tetsuo, Masuoka, Fujio
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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