Control of Axial Resistivity Distribution in Bridgman Silicon Growth

We propose the simple codoping method for improving the productivity of silicon single-crystal growth by controlling axial specific resistivity distribution. Numerical simulations have been performed to study the transport phenomena of dopant impurities in conventional and proposed Bridgman silicon...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2004-07, Vol.43 (7R), p.4079
Hauptverfasser:	Wang, Jong Hoe, Im, Jong-In
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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