Growth of a Large GaN Single Crystal Using the Liquid Phase Epitaxy (LPE) Technique

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2003-01, Vol.42 (Part 2, No.1A/B), p.L4-L6
Hauptverfasser:	Kawamura, Fumio, Iwahashi, Tomoya, Omae, Kunimichi, Morishita, Masanori, Yoshimura, Masashi, Mori, Yusuke, Sasaki, Takatomo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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