Behavior of Electron Traps in Phosphidized GaAs by Nitrogen Plasma Treatment
GaAs is treated with remote PH 3 and N 2 plasmas. Electron traps induced by plasma treatments are investigated by isothermal capacitance transient spectroscopy measurements. PH 3 plasma process generates the T P trap ( E C -0.26 eV), while N 2 plasma process produces the T N trap ( E C -0.66 eV). It...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Japanese Journal of Applied Physics 1999-01, Vol.38 (1A), p.L17 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!