A Study of the O 2 -SO 2 Plasma Etch Chemistry for Top Surface Imaging Photoresist Dry Development
We have investigated O 2 –SO 2 plasma chemistry and studied the impact of relevant aspects of the plasma chemistry on top surface imaging (TSI) silylated photoresist dry etch development processes. The studies focused on aspects of plasma chemistry relating to the formation of a polymer deposit post...
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| Veröffentlicht in: | Japanese Journal of Applied Physics 1998-04, Vol.37 (4S), p.2373 |
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| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext |
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