Elemental composition of reactively sputtered indium nitride thin films
Indium nitride (InN) thin films have been grown on a variety of substrates using low-temperature radio frequency reactive sputtering of indium metal in pure nitrogen plasma. Quantitative compositional analyses of the films, carried out using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Rutherford back...
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Veröffentlicht in: | Japanese Journal of Applied Physics 1996, Vol.35 (4A), p.2261-2265 |
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Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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