Elemental composition of reactively sputtered indium nitride thin films

Indium nitride (InN) thin films have been grown on a variety of substrates using low-temperature radio frequency reactive sputtering of indium metal in pure nitrogen plasma. Quantitative compositional analyses of the films, carried out using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Rutherford back...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 1996, Vol.35 (4A), p.2261-2265
Hauptverfasser: KUMAR, S, MO, L, MO MOTLAN, L, TANSLEY, T. L
Format: Artikel
Sprache:eng
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