Self-Organizing Growth of Nanometer Mesa Structures on Silicon (100) Substrates

Lateral patterning is a crucial technological step for the fabrication of complex nanostructures. It can be achieved either by etching or by a local deposition process. Most of the dry etching techniques for nanometer dimensions such as reactive ion etching (RIE) or focused ion beam (FIB) etching su...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 1994, Vol.33 (4S), p.2268
Hauptverfasser:	Gossner, Harald, Baumgärtner, Hermann, Hammerl, Erwin, Wittmann, Franz, Eisele, Ignaz, Heinzel, Thomas, Lorenz, Heribert
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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