Cubic-Structured HfLaO for the Blocking Layer of a Charge-Trap Type Flash Memory Device

Cubic-structured HfLaO with a high $\kappa$-value of 30--40 is used for the blocking layer in a charge-trap type memory device. Compared to an Al 2 O 3 blocking layer, the single HfLaO blocking layer shows lower leakage current, faster program speed, larger memory window, and greater robustness at h...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics express 2010-09, Vol.3 (9), p.091501-091501-3
Hauptverfasser:	Park, Jong Kyung, Park, Youngmin, Song, Myeong Ho, Lim, Sung Kyu, Oh, Jae Sub, Joo, Moon Sig, Hong, Kwon, Cho, Byung Jin
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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