Multilayer AIN/AlGaN/GaN/AlGaN heterostructures with quantum wells for high-power field-effect transistors grown by ammonia MBE

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Technical physics letters 2006-11, Vol.32 (11), p.960-963
Hauptverfasser:	Alekseev, A. N., Aleksandrov, S. B., Byrnaz, A. É., Velikovskiĭ, L. É., Velikovskiĭ, I. É., Veretekha, A. V., Krasovitskiĭ, D. M., Pavlenko, M. V., Petrov, S. I., Pogorel’skiĭ, M. Yu, Pogorel’skiĭ, Yu. V., Sokolov, I. A., Sokolov, M. A., Stepanov, M. V., Tkachenko, A. G., Shkurko, A. P., Chalyĭ, V. P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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