Record Thick κ(ε)-Ga2O3 Epitaxial Layers Grown on GaN/c-Sapphire

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Technical physics 2023-12, Vol.68 (12), p.689-694
Hauptverfasser:	Nikolaev, V. I., Polyakov, A. Ya, Stepanov, S. I., Pechnikov, A. I., Nikolaev, V. V., Yakimov, E. B., Scheglov, M. P., Chikiryaka, A. V., Guzilova, L. I., Timashov, R. B., Shapenkov, S. V., Butenko, P. N.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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