Crystal Lattice Defects and Hall Mobility of Electrons in Si : Er∕ Si Layers Grown by Sublimation Molecular-Beam Epitaxy

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physics of the solid state 2005-01, Vol.47 (1), p.102
1. Verfasser:	Kuznetsov, V. P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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