MOCVD-grown InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures with a broad-area contact

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2002-09, Vol.36 (9), p.1065-1069
Hauptverfasser:	Bulaev, P. V., Kapitonov, V. A., Lutetskii, A. V., Marmalyuk, A. A., Nikitin, D. B., Nikolaev, D. N., Padalitsa, A. A., Pikhtin, N. A., Bondarev, A. D., Zalevskii, I. D., Tarasov, I. S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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