Investigation of profiles of implanted Ti atoms over the depth of boron nitride nanocrystalline ceramic exposed to high radiation doses and fluxes with subsequent annealing

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Technical physics letters 1999-08, Vol.25 (8), p.615-617
Hauptverfasser:	Duvanov, S. M., Baturin, V. A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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