Formation of InGaAs/GaAs nanostructures by submonolayer deposition from molecular beams

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 1997-08, Vol.31 (8), p.768-772
Hauptverfasser:	Tsyrlin, G. É., Petrov, V. N., Dubrovskii, V. G., Polyakov, N. K., Tipisev, S. Ya, Golubok, A. O., Ledentsov, N. N.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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