In situ monitoring of GaSb1 − xBix growth using desorption mass spectrometry
Incorporation of bismuth into GaSb is of interest because the alloy bandgap can be substantially reduced while avoiding strain relaxation. Thus, the GaSb1 − xBix alloy is potentially useful in extending the wavelength in optoelectronic devices. However, the epitaxial growth of this alloy via molecul...
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Veröffentlicht in: | Journal of vacuum science and technology. B, Nanotechnology & microelectronics Nanotechnology & microelectronics, 2020-03, Vol.38 (2) |
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Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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