A case for asymmetric-cell cache memories

In this paper, we make the case for building high-performance asymmetric-cell caches (ACCs) that employ recently-proposed asymmetric SRAMs to reduce leakage proportionally to the number of resident zero bits. Because ACCs target memory value content (independent of cell activity and access patterns)...

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Veröffentlicht in:IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems 2005-07, Vol.13 (7), p.877-881
Hauptverfasser: Moshovos, A., Falsafi, B., Najm, F.N., Azizi, N.
Format: Artikel
Sprache:eng
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