Conductive Bridging-Based Memristive RF Switches on a Silicon Substrate
Three RF switches and a phase shifter are proposed using the conductive bridging random access memory (CBRAM) technique. The fabrication process is developed with the Nafion membrane on a high-resistivity silicon substrate. The equivalent circuit model is established for each memristive RF switch. T...
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Veröffentlicht in: | IEEE transactions on microwave theory and techniques 2022-01, Vol.70 (1), p.24-34 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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