Amorphous wire and CMOS IC-based sensitive micromagnetic sensors utilizing magnetoimpedance (MI) and stress-impedance (SI) effects
New sensitive quick-response and low-power-consumption micromagnetic sensors, namely, the magnetoimpedance (MI) sensor utilizing the MI effect in zero-magnetostrictive amorphous wires and the stress-impedance (SI) sensor utilizing the SI effect in negative-magnetostrictive amorphous wires, are prese...
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Veröffentlicht in: | IEEE transactions on magnetics 2002-09, Vol.38 (5), p.3063-3068 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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