Analytical Model and Structure of the Multilayer Enhancement-Mode β-Ga 2 O 3 Planar MOSFETs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2022-02, Vol.69 (2), p.682-689
Hauptverfasser:	Guo, Liangliang, Luan, Suzhen, Zhang, Hongpeng, Yuan, Lei, Zhang, Yuming, Jia, Renxu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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